AFT20P140-4WNR3 射频管 NXP_深圳市中立信电子科技有限公司

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产品分类

AFT20P140-4WNR3 射频管 NXP

型号/规格：

AFT20P140-4WNR3

品牌/商标：

NXP（恩智浦）

封装形式：

OM-780-4

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

单件包装

极性：

NPN型

输出功率：

24 W

Vds-漏源极击穿电压：

65 V

Id-连续漏极电流：

500 mA

增益：

17.8 dB

询价

产品信息

AFT20P140-4WNR3

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4

RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

1880--2025 MHz, 24 W AVG., 28 V AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTORS

These AFT20P140-4WNR3 24 W symmetrical Doherty RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1880 to 2025 MHz.

Features AFT20P140-4WNR3

• Designed for wide instantaneous bandwidth applications

• Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation

• Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions

• Designed for digital predistortion error correction systems

• In tape and reel. R3 suffix = 250 units, 32 mm tape width, 13--inch reel.

型号: AFT20P140-4WNR3

制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS: 无铅环保

晶体管极性: N-Channel

Id-连续漏极电流: 500 mA

Vds-漏源极击穿电压: 65 V

技术: Si

增益: 17.8 dB

输出功率: 24 W

工作温度: - 40 ℃

工作温度: + 125 ℃

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: OM-780-4

封装: Cut Tape

包装: Reel

配置: Single

工作频率: 1880 MHz to 2025 MHz

系列: AFT20P140_4WN

类型: RF Power MOSFET

商标: NXP / Freescale

产品类型: RF MOSFET Transistors

工厂包装数量: 250

子类别: MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压: 0.6 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

单位重量: 3.192 g

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