深圳市中立信电子科技有限公司

TDA7294V 音频放大器 ST

型号/规格:TDA7294V 品牌/商标:ST 通道数量:: 1 Channel 输出功率:: 100 W 输出电流:: 10000 mA Ib - 输入偏流:: 500 nA

TIP122 达林顿晶体管 ST

型号/规格:TIP122 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型 集电极—发射极电压 VCEO:: 100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:: 5 V 集电极—基极电压 VCBO:: 100 V 集电极截止电流:: 200 uA

TIP127 达林顿晶体管 ST

型号/规格:TIP127 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型 集电极—基极电压 VCBO:: 100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:: 5 V 直流电集电极电流:: 5 A 集电极截止电流:: 200 uA

STP75NF20 MOSFET 晶体管

型号/规格:STP75NF20 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Id-连续漏极电流:: 75 A Rds On-漏源导通电阻:: 34 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:: 20 V 晶体管极性:: N-Channel

STP7NK80Z MOSFET 晶体管

型号/规格:STP7NK80Z 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Id-连续漏极电流:: 5.2 A Pd-功率耗散:: 125 W Rds On-漏源导通电阻:: 1.8 Ohms Qg-栅极电荷:: 40 nC

STPS130A 肖特基二极管

型号/规格:STPS130A 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SMA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vf - 正向电压:: 0.63 V If - 正向电流:: 1 A Vrrm - 重复反向电压:: 30 V Ifsm - 正向浪涌电流:: 45 A

STPS1L40ZF 肖特基二极管与整流器

型号/规格:STPS1L40ZF 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOD-123 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Ifsm - 正向浪涌电流:: 50 A Ir - 反向电流:: 35 uA Vf - 正向电压:: 500 mV If - 正向电流:: 1 A

STPS2L25U 肖特基二极管与整流器

型号/规格:STPS2L25U 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SMB 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Ifsm - 正向浪涌电流:: 75 A Vrrm - 重复反向电压:: 25 V Vf - 正向电压:: 0.53 V If - 正向电流:: 2 A

STP60NF10 MOSFET晶体管

型号/规格:STP60NF10 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Id-连续漏极电流:: 80 A Pd-功率耗散:: 300 W Vds-漏源极击穿电压:: 100 V Rds On-漏源导通电阻:: 23 mOhms

STP30NF10 MOSFET 晶体管

型号/规格:STP30NF10 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Vds-漏源极击穿电压:: 100 V Id-连续漏极电流:: 35 A Rds On-漏源导通电阻:: 38 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:: 20 V

STN4NF03L MOSFET 晶体管

型号/规格:STN4NF03L 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOT-223 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 通道数量:: 1 Channel 晶体管极性:: N-Channel Vds-漏源极击穿电压:: 30 V Id-连续漏极电流:: 6.5 A

STP08CP05MTR 计数器移位寄存器

产品类型:: Counter Shift Registers 位数:: 4 bit 传播延迟时间:: 50 ns, 28 ns 工作电源电压:: 3.3 V, 5 V 工作温度:: - 40 C 工作温度:: + 125 C

STP16CPS05MTR LED显示驱动器

型号/规格:STP16CPS05MTR 品牌/商标:ST(意法半导体) 高电平输出电流:: 1 mA 工作电源电压:: 3 V to 5.5 V 工作温度:: - 40 C 工作温度:: + 125 C

STM32F103C8T6 ARM微控制器

型号/规格:STM32F103C8T6 品牌/商标:ST 内存大小:32位 ADC分辨率:: 12 bit 程序存储器大小:: 64 kB 工作电源电压:: 2 V to 3.6 V 计时器/计数器数量:: 3 Timer

STM32L152VBT6TR ARM微控制器

型号/规格:STM32L152VBT6TR 品牌/商标:ST 内存大小:32位 产品类型:: ARM Microcontrollers - MCU 工作电源电压:: 1.65 V to 3.6 V 数据总线宽度:: 32 bit 工厂包装数量:: 1000

STM809RWX6F 监控电路 ST

型号/规格:STM809RWX6F 品牌/商标:ST(意法半导体) 被监测输入数:: 1 Input 输出电流:: 20 mA 工作电源电流:: 15 uA Pd-功率耗散:: 320 mW

STM8L051F3P6TR 微控制器

型号/规格:STM8L051F3P6TR 品牌/商标:ST 内存大小:8位 数据 ROM 大小:: 256 B 程序存储器大小:: 8 kB 时钟频率:: 16 MHz 数据总线宽度:: 8 bit

STM8S001J3M3TR 8位微控制器

型号/规格:STM8S001J3M3TR 品牌/商标:ST 内存大小:8位 时钟频率:: 16 MHz 程序存储器大小:: 8 kB ADC分辨率:: 10 bit 数据 RAM 大小:: 1 kB

STM8S208CBT6 微控制器MCU

型号/规格:STM8S208CBT6 品牌/商标:ST 内存大小:8位 ADC分辨率:: 10 bit 输入/输出端数量:: 38 I/O 数据 RAM 大小:: 6 kB 程序存储器大小:: 128 kB

STM8S003F3P6TR 微控制器

型号/规格:STM8S003F3P6TR 品牌/商标:ST 内存大小:8位 数据总线宽度:: 8 bit 程序存储器大小:: 8 kB 工作电源电压:: 2.95 V to 5.5 V 数据 RAM 大小:: 1 kB

STM8S003K3T6C 微控制器MCU

型号/规格:STM8S003K3T6C 品牌/商标:ST 内存大小:8位 数据总线宽度:: 8 bit 时钟频率:: 16 MHz 数据 RAM 大小:: 1 kB 程序存储器大小:: 8 kB

STM32F030R8T6 ARM微控制器

型号/规格:STM32F030R8T6 品牌/商标:ST 内存大小:32位 程序存储器大小:: 64 kB 输入/输出端数量:: 55 I/O 工作温度:: - 40 C 工作温度:: + 85 C

STM32F042C6T6 ARM微控制器

型号/规格:STM32F042C6T6 品牌/商标:ST 内存大小:32位 数据总线宽度:: 32 bit 数据 RAM 大小:: 6 kB 时钟频率:: 48 MHz ADC分辨率:: 12 bit

STM32F100C6T6B ARM微控制器

型号/规格:STM32F100C6T6B 品牌/商标:ST 内存大小:32位 工作电源电压:: 2 V to 3.6 V 数据总线宽度:: 32 bit 工作温度:: - 40 C 工作温度:: + 85 C

STL72 双极结型晶体管(BJT)

型号/规格:STL72 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-92 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 极性:NPN型 集电极—基极电压 VCBO:: 700 V 发射极 - 基极电压 VEBO:: 9 V 工作温度:: - 65 C 工作温度:: + 150 C

STLQ50C33R 低压差稳压器

型号/规格:STLQ50C33R 品牌/商标:ST(意法半导体) 输出端数量:: 1 Output 输出电压:: 3.3 V 输出电流:: 50 mA 回动电压:: 0.4 V

STM1001RWX6F 监控电路

型号/规格:STM1001RWX6F 品牌/商标:ST(意法半导体) 被监测输入数:: 1 Input 阈值电压:: 3 V, 3.3 V, 5 V 重置延迟时间:: 280 ms 工作电源电流:: 6 uA

STM32F030K6T6 ARM微控制器 MCU

型号/规格:STM32F030K6T6 品牌/商标:ST 内存大小:32位 数据总线宽度:: 32 bit 时钟频率:: 48 MHz 程序存储器大小:: 32 kB 工作电源电压:: 2.4 V to 3.6 V

STA8090FG 射频接收器 ST

产品类型:: RF Receiver 带宽:: 2.4 MHz, 4.8 MHz, 10 MHz NF—噪声系数:: 2 dB 工厂包装数量:: 364 工作温度:: - 40 C 工作温度:: + 85 C

STD2HNK60Z-1 MOSFET N-Ch

型号/规格:STD2HNK60Z-1 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-251 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Id-连续漏极电流:: 2 A Rds On-漏源导通电阻:: 4.8 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:: 30 V Qg-栅极电荷:: 11 nC

STF10NM60N MOSFET STM

型号/规格:STF10NM60N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Vds-漏源极击穿电压:: 650 V Id-连续漏极电流:: 10 A Qg-栅极电荷:: 19 nC Rds On-漏源导通电阻:: 550 mOhms

STF7LN80K5 MOSFET STM

型号/规格:STF7LN80K5 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube 通道数量:: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压:: 800 V Id-连续漏极电流:: 5 A Rds On-漏源导通电阻:: 1.15 Ohms

STA540 音频放大器 STM

型号/规格:STA540 品牌/商标:ST 音频 - 负载阻抗:: 8 Ohms 输出功率:: 34 W Pd-功率耗散:: 36000 mW 通道数量:: 4 Channel

M41T01M6F 实时时钟芯片

电池备用开关:: Backup Switching 时间格式:: Binary 日期格式:: Binary RTC 存储容量:: 8 B 工作温度:: - 40 C 工作温度:: + 85 C

MD1802FX 双极结型晶体管

型号/规格:MD1802FX 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:ISOWATT218FX 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 极性:NPN型 集电极—基极电压 VCBO:: 9 V 发射极 - 基极电压 VEBO:: 9 V 工作温度:: - 65 C 工作温度:: + 150 C

ST1S14PHR 开关稳压器 ST

型号/规格:ST1S14PHR 品牌/商标:ST(意法半导体) 输出电压:: 400 mV 输出电流:: 3 A 输入电压:: 48 V 开关频率:: 850 kHz

P6KE250ARL ESD抑制器/TVS二极管

型号/规格:P6KE250ARL 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:DO-204AC 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 单位重量:: 400 mg 工作电压:: 213 V 钳位电压:: 442 V 击穿电压:: 250 V

SMBJ28A-TR ESD抑制器/TVS二极管

型号/规格:SMBJ28A-TR 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SMB 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 工作电压:: 28 V 击穿电压:: 31.1 V 工作温度:: - 65 C 工作温度:: + 175 C