深圳市中立信电子科技有限公司

TK10A80E,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK10A80E,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装

TK100E10N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK100E10N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Id-连续漏极电流:: 207 A Vds-漏源极击穿电压:: 100 V Vgs - 栅极-源极电压:: 10 V Qg-栅极电荷:: 140 nC

T2N7002AK,LM MOSFET Toshiba

型号/规格:T2N7002AK,LM 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 通道数量:: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压:: 60 V Id-连续漏极电流:: 200 mA Qg-栅极电荷:: 0.27 nC

SSM3K335R,LF MOSFET Toshiba

型号/规格:SSM3K335R,LF 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:: 30 V Id-连续漏极电流:: 6 A 通道数量:: 1 Channel 晶体管极性:: N-Channel

NTR4003NT1G MOSFET ON

型号/规格:NTR4003NT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Pd-功率耗散:690 mW Qg-栅极电荷:1.15 nC 工作温度:- 55 ℃ 工作温度:150 ℃

NTMFS4C05NT1G MOSFET ON

型号/规格:NTMFS4C05NT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SO-FL-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vgs - 栅极-源极电压:20 V Qg-栅极电荷:30 nC Pd-功率耗散:33 W 下降时间:7 ns

NTMFS5C430NLT1G MOSFET ON

型号/规格:NTMFS5C430NLT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:DFN-5 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:200 A Rds On-漏源导通电阻:2.2 mOhms Qg-栅极电荷:70 nC

NVC3S5A51PLZT1G MOSFET ON

型号/规格:NVC3S5A51PLZT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SO-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 工厂包装数量:3000 包装:Reel 产品类型:MOSFET 技术:Si

NTR4170NT1G MOSFET ON

型号/规格:NTR4170NT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Pd-功率耗散:1.25 W Qg-栅极电荷:4.76 nC 工作温度:- 55 ℃ 工作温度:150 ℃

NCV8402ASTT1G MOSFET ON

型号/规格:NCV8402ASTT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-223 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:55 V Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms 工作温度:- 40 ℃ 工作温度:150 ℃

NDFP03N150CG MOSFET ON

型号/规格:NDFP03N150CG 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-220F 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Id-连续漏极电流:2.5 A Rds On-漏源导通电阻:10.5 Ohms Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV Qg-栅极电荷:34 nC

FQT3P20TF MOSFET ON安森美

型号/规格:FQT3P20TF 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-223 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:670 mA Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms

FDN302P MOSFET ON安森美

型号/规格:FDN302P 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SSOT-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:2.4 A Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:12 V

FCD360N65S3R0 MOSFET ON

型号/规格:FCD360N65S3R0 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:650 V Rds On-漏源导通电阻:360 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:30 V Qg-栅极电荷:18 nC

FQPF7N65C MOSFET ON安森美

型号/规格:FQPF7N65C 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 通道数量:1 Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:650 V Id-连续漏极电流:7 A

NTMFS4C022NT1G MOSFET ON

型号/规格:NTMFS4C022NT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 工厂包装数量:1500/5000 包装:Reel Drain−to−Source Voltage:30 V Gate−to−Source Voltage:20 V

NTZS3151PT1G MOSFET ON

型号/规格:NTZS3151PT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-563 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:950 mA Rds On-漏源导通电阻:195 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:8 V

AFT05MS003NT1 RF管MOSFET NXP

型号/规格:AFT05MS003NT1 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:SOT-89 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 Id-连续漏极电流:2.6 A 输出功率:3.2 W 增益:20.8 dB Pd-功率耗散:30.5 W

供应射频功率晶体管MAPRST0912-350

型号/规格:MAPRST0912-350 品牌/商标:MA/COM 封装形式:金属/陶瓷 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盘装 功率特征:超大功率