深圳市中立信电子科技有限公司

2SC5200N(S1,E,S) 双极晶体管

型号/规格:2SC5200N(S1,E,S) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 极性:NPN型 Pd-功率耗散:: 150 W 集电极连续电流:: 15 A 工作温度:: - 55 C 工作温度:: + 150 C

2SA1832-GR,LF(B 双极晶体管

型号/规格:2SA1832-GR,LF(B 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOT-426 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:PNP型 直流电集电极电流:: - 150 mA 增益带宽产品fT:: 80 MHz Pd-功率耗散:: 100 mW 单位重量:: 2.400 mg

2SA1943N(S1,E,S) 双极晶体管

型号/规格:2SA1943N(S1,E,S) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 极性:PNP型 增益带宽产品fT:: 30 MHz Pd-功率耗散:: 150 W 工作温度:: - 55 C 工作温度:: + 150 C

MMUN2214LT1G 双极晶体管 ON

型号/规格:MMUN2214LT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:NPN型 集电极连续电流:0.1 A 峰值直流集电极电流:100 mA Pd-功率耗散:246 mW 典型输入电阻器:10 kOhms

NSV40200LT1G 双极晶体管 ON

型号/规格:NSV40200LT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:PNP型 增益带宽产品fT:100 MHz Pd-功率耗散:710 mW 工作温度:- 55 ℃ 工作温度:150 ℃

BC848BWT1G 双极晶体管 ON

型号/规格:BC848BWT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SC-70 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:NPN型 集电极—射极饱和电压:0.6 V 增益带宽产品fT:100 MHz 工作温度:- 55 ℃ 工作温度:150 ℃

SS8050DBU 双极晶体管 ON

型号/规格:SS8050DBU 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-92 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 极性:NPN型 集电极—基极电压 VCBO:40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 集电极—射极饱和电压:0.5 V 直流电集电极电流:1.5 A

BCX19LT1G 双极晶体管 ON

型号/规格:BCX19LT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:PNP型 集电极—射极饱和电压:0.62 V 直流电集电极电流:0.5 A 工作温度:- 55 ℃ 工作温度:150 ℃

SMMBTA56LT1G 晶体管 ON

型号/规格:SMMBTA56LT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:PNP型 集电极—基极电压 VCBO:- 80 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 4 V 集电极—射极饱和电压:- 0.25 V 直流电集电极电流:- 500 mA

MUN5111T1G 预偏置 晶体管 ON

型号/规格:MUN5111T1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SC-70 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:PNP型 集电极连续电流:100 mA 峰值直流集电极电流:100 mA Pd-功率耗散:202 mW 典型输入电阻器:10 kOhms

BC846BPDW1T1G 双极晶体管 ON

型号/规格:BC846BPDW1T1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SC-70 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:PNP型 集电极—基极电压 VCBO:80 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 集电极—射极饱和电压:0.6 V 直流电集电极电流:0.1 A

NJVNJD2873T4G 双极晶体管 ON

型号/规格:NJVNJD2873T4G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:DPAK-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:NPN型 集电极—射极饱和电压:0.3 V 集电极连续电流:2 A Pd-功率耗散:15 W 增益带宽产品fT:65 MHz

DTC114YET1G 晶体管 ON

型号/规格:DTC114YET1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SC-75 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:NPN型 典型输入电阻器:10 kOhms Pd-功率耗散:200 mW (1/5 W) 峰值直流集电极电流:100 mA 集电极连续电流:0.1 A

FQPF4N90C MOSFET管 ON

型号/规格:FQPF4N90C 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 极性:NPN型 Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:4 A 通道数量:1 Channel Rds On-漏源导通电阻:4.2 Ohms

AFT05MS004NT1 射频管 NXP

型号/规格:AFT05MS004NT1 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:SOT--89 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 单位重量:50.800 mg 类型:RF Power MOSFET

BFU668F,115 双极晶体管 NXP

型号/规格:BFU668F,115 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:SOT-343F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:NPN型 增益带宽产品fT:20 GHz 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5 V 集电极—基极电压 VCBO:16 V 直流电流增益 hFE 值:200

BFU768F,115 射频管 NXP

型号/规格:BFU768F,115 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:SOT343F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:NPN型 工厂包装数量:3000 单位重量:6.665 mg 工作温度:- 40 ℃ 工作温度:125 ℃