深圳市中立信电子科技有限公司

MPC5746R-252DS 射频管 NXP

型号/规格:MPC5746R-252DS 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:NI--880XS--4L4S 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 包装:Reel 工厂包装数量:250 工作温度:-40 ℃ 工作温度:150 ℃

MRF24300NR3 高频管 NXP

型号/规格:MRF24300NR3 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:OM-780-2L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 工作温度:- 40 ℃ 工作温度:150 ℃ 输出功率:300 W 增益:13.1 dB

MRFE6VP5300NR1 射频管 NXP

型号/规格:MRFE6VP5300NR1 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:TO--270WB--4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 技术:Si 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 包装:Reel

MRFX1K80HR5 射频管 NXP

型号/规格:MRFX1K80HR5 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:NI-1230H-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 极性:NPN型 输出功率:1.8 kW 增益:25.1 dB Vds-漏源极击穿电压:- 0.5 V, 179 V Id-连续漏极电流:43 A

AFT20P140-4WNR3 射频管 NXP

型号/规格:AFT20P140-4WNR3 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:OM-780-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 极性:NPN型 输出功率:24 W Vds-漏源极击穿电压:65 V Id-连续漏极电流:500 mA 增益:17.8 dB

AFT18H357-24NR6 射频管 NXP

型号/规格:AFT18H357-24NR6 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:OM-1230-4L2L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 极性:NPN型 子类别:MOSFETs 工厂包装数量:150 工作温度:- 40 ℃ 工作温度:150 ℃

A2T09D400-23NR6 射频管 NXP

型号/规格:A2T09D400-23NR6 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:OM-1230-4L2S 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 Id-连续漏极电流:2.7 A 输出功率:93 W 工作温度:- 40 ℃ 工作温度:150 ℃

MRF1K50HR5 射频管 NXP

型号/规格:MRF1K50HR5 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:NI-1230H-4S 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 输出功率:1.5 kW 增益:23.7 dB Pd-功率耗散:1.667 kW 工厂包装数量:50

AFT05MP075NR1 射频管 NXP

型号/规格:AFT05MP075NR1 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:TO-270-WB-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:NPN型 输出功率:76 W 增益:18.5 dB 正向跨导 - 值:7.3 S 通道数量:2 Channel

AFT18H357-24SR6 射频金属管 NXP

型号/规格:AFT18H357-24SR6 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:NI-1230S-4L2L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 工厂包装数量:150 单位重量:8.604 g 工作温度:- 40 ℃ 工作温度:150 ℃

AFT05MS031NR1 射频管 NXP

型号/规格:AFT05MS031NR1 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:TO-270-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 输出功率:33 W 工作温度:- 40 ℃ 工作温度:150 ℃ Pd-功率耗散:294 W

AFT21S230SR3 射频管 NXP

型号/规格:AFT21S230SR3 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:NI780S 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 工厂包装数量:250 单位重量:4.611 g 子类别:MOSFETs 产品类型:RF MOSFET Transistors

MBC13916NT1 射频放大器 NXP

型号/规格:MBC13916NT1 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:SOT-343 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 工作电源电流:4.7 mA 测试频率:900 MHz NF—噪声系数:0.9 dB 工作电源电压:2.7 V

A2T21H360-24SR6 射频管 NXP

型号/规格:A2T21H360-24SR6 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:RF 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 工厂包装数量:150 单位重量:8.604 g 子类别:MOSFETs 技术:Si

MRF8S18120HSR3 RF晶体管 NXP

型号/规格:MRF8S18120HSR3 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:NI-780 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型

MRF8S21100HSR3 射频管 NXP

型号/规格:MRF8S21100HSR3 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:NI-780S 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 输出功率:24 W 增益:18.3 dB Vds-漏源极击穿电压:65 V 晶体管极性:N-Channel

MRFE6VP100HR5 射频管 NXP

型号/规格:MRFE6VP100HR5 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:NI-780-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 工作温度:150 ℃ 工作温度:- 40 ℃ 输出功率:100 W 工厂包装数量:50

供应HMC740ST89E

型号/规格:供应HMC740ST89E 品牌/商标:HITTITE 封装形式:SMD 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:超大功率 频率特性:超高频 极性:PNP型