深圳市中立信电子科技有限公司

2SC4738-BL(TE85L,F 双极晶体管

型号/规格:2SC4738-BL(TE85L,F 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOT-416-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:NPN型 直流电集电极电流:: 150 mA 增益带宽产品fT:: 80 MHz Pd-功率耗散:: 100 mW 集电极连续电流:: 150 mA

2SC5200N(S1,E,S) 双极晶体管

型号/规格:2SC5200N(S1,E,S) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 极性:NPN型 Pd-功率耗散:: 150 W 集电极连续电流:: 15 A 工作温度:: - 55 C 工作温度:: + 150 C

2SA1832-GR,LF(B 双极晶体管

型号/规格:2SA1832-GR,LF(B 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOT-426 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 极性:PNP型 直流电集电极电流:: - 150 mA 增益带宽产品fT:: 80 MHz Pd-功率耗散:: 100 mW 单位重量:: 2.400 mg

2SA1943N(S1,E,S) 双极晶体管

型号/规格:2SA1943N(S1,E,S) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-3P 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 极性:PNP型 增益带宽产品fT:: 30 MHz Pd-功率耗散:: 150 W 工作温度:: - 55 C 工作温度:: + 150 C

TC78H600FTG(O,EL) 驱动器

型号/规格:TC78H600FTG(O,EL) 品牌/商标:TOSHIBA(东芝) 工作电源电流:: 16.5 uA 工作电源电压:: 5 V 工作温度:: - 20 C 工作温度:: + 85 C

TLP176GA(F) MOSFET输出光电耦合器

型号/规格:TLP176GA(F) 品牌/商标:TOSHIBA If - 正向电流:: 10 mA 绝缘电压:: 1500 Vrms 工作温度:: - 40 ℃ 工作温度:: + 85 ℃

SSM3K339R,LF MOSFET Toshiba

型号/规格:SSM3K339R,LF 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOT-23F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:: 40 V Qg-栅极电荷:: 1.1 nC Id-连续漏极电流:: 2 A Rds On-漏源导通电阻:: 185 mOhms

TLP185(GB-TPL,SE 晶体管输出光电耦合器

型号/规格:TLP185(GB-TPL,SE 品牌/商标:Toshiba 工厂包装数量:3000 包装:Reel 工作温度:-55 ℃ 工作温度:110 ℃

TLP291(GR-TP,SE 晶体管输出光电耦合器

型号/规格:TLP291(GR-TP,SE 品牌/商标:Toshiba 正向电流:50 mA 反向电压:5 V 工作温度:-55 ℃ 工作温度:110 ℃

TLP293(BLL-TPL,E 晶体管输出光电耦合器

型号/规格:TLP293(BLL-TPL,E 品牌/商标:Toshiba If - 正向电流:: 10 mA Pd-功率耗散:: 200 mW Vf - 正向电压:: 1.4 V Vr - 反向电压:: 5 V

TLP5214(E 逻辑输出光电耦合器

型号/规格:TLP5214(E 品牌/商标:Toshiba 绝缘电压:: 5000 Vrms If - 正向电流:: 25 mA Vf - 正向电压:: 1.7 V Vr - 反向电压:: 5 V

TLP152(TPL,E 逻辑输出光电耦合器

型号/规格:TLP152(TPL,E 品牌/商标:Toshiba If - 正向电流:: 20 mA Vf - 正向电压:: 1.57 V 工作温度:: - 40 C 工作温度:: + 100 C

TLP184(Y-TPL,SE 晶体管输出光电耦合器

型号/规格:TLP184(Y-TPL,SE 品牌/商标:Toshiba If - 正向电流:: 20 mA Vf - 正向电压:: 1.4 V Pd-功率耗散:: 200 mW 通道数量:: 1 Channel

TPH8R903NL,LQ MOSFET Toshiba

型号/规格:TPH8R903NL,LQ 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Qg-栅极电荷:: 9.8 nC Vgs - 栅极-源极电压:: 20 V 工作温度:: - 55 C 工作温度:: + 150 C

TK9A90E,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK9A90E,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220SIS 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vgs th-栅源极阈值电压:: 4 V Rds On-漏源导通电阻:: 1 Ohms Vds-漏源极击穿电压:: 900 V Vgs - 栅极-源极电压:: 30 V

TPH12008NH,L1Q MOSFET Toshiba

型号/规格:TPH12008NH,L1Q 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:: 80 V Id-连续漏极电流:: 44 A Rds On-漏源导通电阻:: 10.1 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压:: 4 V

TK7A90E,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK7A90E,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220SIS 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Qg-栅极电荷:: 32 nC Pd-功率耗散:: 45 W 工作温度:: - 55 ℃ 工作温度:: + 150 ℃

TK42A12N1,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK42A12N1,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole 工作温度:- 55 ℃ 工作温度:150 ℃ Pd-功率耗散:35 W 工厂包装数量:50

TK4A60D(STA4,Q,M) MOSFET Toshiba

型号/规格:TK4A60D(STA4,Q,M) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 通道数量:: 1 Channel 晶体管极性:: N-Channel Vds-漏源极击穿电压:: 600 V Id-连续漏极电流:: 4 A

TK58E06N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK58E06N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Pd-功率耗散:: 110 W Qg-栅极电荷:: 46 nC Id-连续漏极电流:: 105 A Vds-漏源极击穿电压:: 60 V

TK5A65D(STA4,Q,M) MOSFET Toshiba

型号/规格:TK5A65D(STA4,Q,M) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vds-漏源极击穿电压:: 650 V Id-连续漏极电流:: 5 A Rds On-漏源导通电阻:: 1.43 Ohms 工厂包装数量:: 50

TK6A65D(STA4,Q,M) MOSFET

型号/规格:TK6A65D(STA4,Q,M) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole 通道数量:: 1 Channel 晶体管极性:: N-Channel Rds On-漏源导通电阻:: 1.11 Ohms Id-连续漏极电流:: 6 A

TK6A80E,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK6A80E,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vds-漏源极击穿电压:: 800 V Id-连续漏极电流:: 6 A Rds On-漏源导通电阻:: 1.35 Ohms Qg-栅极电荷:: 32 nC

TK7A65D(STA4,Q,M) MOSFET

型号/规格:TK7A65D(STA4,Q,M) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vds-漏源极击穿电压:: 650 V Rds On-漏源导通电阻:: 980 mOhms Pd-功率耗散:: 45 W Id-连续漏极电流:: 7 A

TK40E06N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK40E06N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:10.4 mOhms Qg-栅极电荷:23 nC

TK31J60W,S1VQ MOSFET Toshiba

型号/规格:TK31J60W,S1VQ 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-3PN 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:30.8 A Vgs - 栅极-源极电压:10 V Qg-栅极电荷:105 nC

TK34E10N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK34E10N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Vds-漏源极击穿电压:: 100 V Id-连续漏极电流:: 75 A Vgs - 栅极-源极电压:: 10 V Pd-功率耗散:: 103 W

TK3R1E04PL,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK3R1E04PL,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 通道数量:: 1 Channel Pd-功率耗散:: 87 W 晶体管极性:: N-Channel Qg-栅极电荷:: 63.4 nC

TK2P60D(TE16L1,NQ) MOSFET

型号/规格:TK2P60D(TE16L1,NQ) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:PW-Mold-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Rds On-漏源导通电阻:: 4.3 Ohms Pd-功率耗散:: 60 W Id-连续漏极电流:: 2 A Vds-漏源极击穿电压:: 600 V

TK2P90E,RQS MOSFET Toshiba

型号/规格:TK2P90E,RQS 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vgs th-栅源极阈值电压:: 2.5 V Vgs - 栅极-源极电压:: 30 V Pd-功率耗散:: 80 W Qg-栅极电荷:: 12 nC

TK2Q60D(Q) MOSFET TOSHIBA

型号/规格:TK2Q60D(Q) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:PW-Mold2-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Id-连续漏极电流:: 2 A Rds On-漏源导通电阻:: 4.3 Ohms 工作温度:: - 55 ℃ 工作温度:: + 150 ℃

TK22E10N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK22E10N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Rds On-漏源导通电阻:: 13.8 mOhms Vds-漏源极击穿电压:: 100 V 单位重量:: 6 g Id-连续漏极电流:: 52 A

TK20E60W,S1VX MOSFET Toshiba

型号/规格:TK20E60W,S1VX 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 晶体管极性:: N-Channel 通道数量:: 1 Channel Pd-功率耗散:: 165 W Qg-栅极电荷:: 48 nC

TK17A80W,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK17A80W,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Vds-漏源极击穿电压:: 800 V Id-连续漏极电流:: 17 A Qg-栅极电荷:: 32 nC Pd-功率耗散:: 45 W

TK20A60W,S5VX MOSFET Toshiba

型号/规格:TK20A60W,S5VX 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Rds On-漏源导通电阻:: 130 mOhms Pd-功率耗散:: 45 W Id-连续漏极电流:: 20 A Vds-漏源极击穿电压:: 600 V

TK12A80W,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK12A80W,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220SIS-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Qg-栅极电荷:: 23 nC Vds-漏源极击穿电压:: 800 V Id-连续漏极电流:: 11.5 A Rds On-漏源导通电阻:: 380 mOhms

TK10A80E,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK10A80E,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装

TK100E10N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK100E10N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Id-连续漏极电流:: 207 A Vds-漏源极击穿电压:: 100 V Vgs - 栅极-源极电压:: 10 V Qg-栅极电荷:: 140 nC